볼린저를 타고

pn접합 pn접합이 일어났을 때 초기에는 p-type의 majority carrier인 홀과 n-type의 majority carrier인 전자가 diffusion이 일어나면서 전자와 홀의 이동이 일어납니다. 점점 홀과 전자의 이동이 일어날수록 E-Field가 생기고 홀의 이동과 반대되는 방향으로 E-Field가 강해지면서 홀과 전자의 diffusion을 막게됩니다. 결국, diffusion과 E-field가 평형을 이루게 되고 공핍층이 형성됩니다. 각각의 p-type과 n-type 영역을 바라보면, p-type의 majority carrier인 홀이 n-type영역으로 diffusion 되면서 p-type은 –Charge화 되고 n-type역시 전자가 p-type영역으로 diffusion 되면서 +Ch..

반도체/반도체 공학 2021. 1. 3. 01:36

1)반도체란 무엇일까요?? 반도체= 전자의 농도와 홀의 농도를 자유자재로 Control할 수 있는 물질. 이라고 할 수 있습니다. Metal은 밴드갭이 존재하지 않기때문에 즉0이기 때문에 전자의 이동이 자유롭습니다. 그러나 부도체(Insulator)는 밴드갭이 대략 4eV이상으로 넓기때문에 아무리 도핑을 한다고 하더라도 전자나 홀의 수를 Control할 수가 없습니다. 우리가 배워야할 반도체는 대략 0.17~3.6eV정도의 밴드갭을 갖고있기 때문에 도핑농도에 따라 전자나 홀을 Control할 수 있습니다. 2) 실리콘의 에너지 밴드갭 생성원리 Si는 원자번호 14번입니다. 실리콘은 최외각 전자가 4개로, 전자가 채워져있는 State가 4개, 전자가 채워져있지 않은 State가 4개가 존재합니다. 두 개의..

반도체/반도체 공학 2021. 1. 1. 00:10